Memorysolution DDR3L
Toshiba Satellite Pro R50, 1 x 4GBModello32
Informazioni sul prodotto
Il modulo RAM Memorysolution DDR3L offre un'espansione di memoria affidabile e potente per vari notebook Toshiba. Con una capacità di 4 GB e una velocità di 1600 MHz (PC3-12800), questo modulo SO DIMM a 204 pin è ideale per gli utenti che necessitano di prestazioni di sistema migliorate e capacità di multitasking. Il modulo è non bufferizzato e supporta il controllo dell'integrità dei dati Non-ECC, rendendolo una scelta eccellente per applicazioni e compiti quotidiani. Progettato per una varietà di modelli Toshiba, tra cui le serie Dynabook Portégé e Satellite, questo modulo RAM garantisce un'integrazione e una compatibilità senza soluzione di continuità. L'uso della tecnologia DDR3L SDRAM assicura una gestione energetica efficiente, particolarmente vantaggiosa per i dispositivi mobili. Questo modulo rappresenta una soluzione economica per aggiornare i sistemi esistenti e migliorare le prestazioni complessive.
- Compatibile con una varietà di notebook Toshiba, incluse le serie Dynabook Portégé e Satellite
- Design non bufferizzato per prestazioni e stabilità migliorate
- Tecnologia DDR3L SDRAM a basso consumo energetico per una maggiore durata della batteria
- Controllo dell'integrità dei dati Non-ECC per un'elaborazione dei dati affidabile
- Ottimizzato per il multitasking e applicazioni impegnative.
RAM tampone | Senza buffer |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Modello compatibile | Toshiba Satellite Pro R50 |
Marca compatibile | Toshiba |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 19454568 |
Produttore | Memorysolution |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | PA5104U-1M4G |
Data di rilascio | 23.2.2022 |
Marca compatibile | Toshiba |
Modello compatibile | Toshiba Satellite Pro R50 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |