Memorysolution DDR3L
Toshiba Satellite P50-C, 1 x 4GBModello32
Informazioni sul prodotto
L'articolo MS4096TOS-NB165 è un'espansione di memoria per la serie TOSHIBA Satellite P50-C, che è fornita di serie con 4 GB di RAM. Il sistema può essere aggiornato fino a un massimo di 32 GB di RAM. Per l'upgrade massimo della memoria, il dispositivo è dotato di 2 slot.
In parte, le informazioni fornite dai produttori riguardo all'espansione massima della memoria possono essere obsolete e differire dalle nostre indicazioni. Questo è dovuto al fatto che la tecnologia avanza rapidamente o che le revisioni dei produttori di memoria cambiano così in fretta da non riuscire a tenere il passo con la certificazione. I modelli più vecchi potrebbero non essere più validati.
Qui entra in gioco Memorysolution con test approfonditi e garantisce la disponibilità continua dell'upgrade, ben oltre il ciclo di produzione dei produttori. Il nostro modulo di memoria qualificato per la serie TOSHIBA Satellite P50-C è completamente funzionale anche sotto carico massimo e rispetta le specifiche del produttore.
Più veloce e migliore grazie all'upgrade della memoria: espandi il tuo sistema e ottieni più potenza con più RAM! L'articolo MS4096TOS-NB165 per la serie TOSHIBA Satellite P50-C è ottimale per un'espansione massima della memoria di 32 GB.
RAM tampone | Senza buffer |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Modello compatibile | Toshiba Satellite P50-C |
Marca compatibile | Toshiba |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 14225900 |
Produttore | Memorysolution |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | MS4096TOS-NB165 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Toshiba |
Modello compatibile | Toshiba Satellite P50-C |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |