Memorysolution DDR3L
IdeaPad Y510p, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Modello compatibile
- Acer Aspire E1-572GCHF58.57
- Aspire E1-522CHF58.57
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- G771JM, G771JWCHF58.58
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- IdeaPad Y510pCHF58.58
- Latitudine 3450CHF78.69
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- Toshiba Satellite Pro R50, S50, P70, Z50, C50, S70, S55, X70, C850, R50, R940, M50, C55, L870, L850, U50CHF74.57
- ZBook 15, HP EliteBook 820 G1CHF78.55
Informazioni sul prodotto
Breve informazione: MemorySolutioN - DDR3L - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1,35 V - senza buffer - nonECC - per Lenovo IdeaPad Y510p Gruppo RAM Produttore MemorySolutioN Tipo di prodotto. No. MS4096LEN-NB010 Modello EAN/UPC 4047762438722 Descrizione del prodotto: MemorySolutioN - DDR3L - 4 GB - SO DIMM 204-PIN Tipo di prodotto RAM Capacità di memoria 4 GB Tipo di memoria DDR3L SDRAM - SO DIMM 204-PIN Tipo di espansione System Specific Data Integrity Check Non-ECC Velocità 1600 MHz (PC3L-12800) Caratteristiche delle prestazioni Bassa tensione, Unbuffered tensione 1..35 V Progettato per Lenovo IdeaPad Y510p Dettagli generali Capacità 4 GB Tipo di espansione Sistema specifico Tipo di memoria DRAM Tecnologia DDR3L SDRAM Fattore di forma SO DIMM 204-PIN Velocità 1600 MHz (PC3L-12800) Controllo integrità dei dati Non-ECC Caratteristiche Bassa tensione, Unbuffered Tensione 1.35 V Informazioni sulla compatibilità Progettato per Lenovo IdeaPad Y510p.
Marca compatibile | Lenovo |
Modello compatibile | IdeaPad Y510p |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
RAM tampone | Senza buffer |
No. di articolo | 14225906 |
Produttore | Memorysolution |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | MS4096LEN-NB010 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Colore | Verde |
Descrizione dettagliata del colore | Verde |
Colore LED | Senza LED |
Marca compatibile | Lenovo |
Modello compatibile | IdeaPad Y510p |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Politica sui resi