Memorysolution DDR3L
Latitudine E5250, 1 x 4GBModello32
Informazioni sul prodotto
Descrizione del prodotto
L'espansione di memoria compatibile MS4096DE-NB023 per i sistemi DELL Latitude 12 E5250 soddisfa o supera le specifiche del produttore ed è completamente funzionante anche sotto carico massimo. I sistemi DELL Latitude 12 E5250 sono dotati di 2GB di RAM di fabbrica e possono essere espansi fino a un massimo di 16GB di RAM. Sono disponibili 2 slot per l'upgrade della memoria.
Le informazioni del produttore riguardo all'espansione massima della memoria sono spesso obsolete e possono quindi differire dalle nostre indicazioni. Molti produttori di sistemi non convalidano più le nuove tecnologie di memoria per i sistemi più vecchi. Qui entra in gioco Memorysolution con test estesi, garantendo la disponibilità continua dell'upgrade, ben oltre il ciclo di produzione dei produttori.
Aggiorna invece di acquistare nuovo: espandi il tuo sistema con le espansioni di memoria specifiche per il sistema di Memorysolution, risparmiando così non solo sul budget IT, ma anche sull'ambiente. Per un ulteriore salto di prestazioni, Memorysolution offre anche unità a stato solido (SSD) adatte per quasi tutti i dispositivi. Queste non solo sono notevolmente più veloci dei normali dischi rigidi, ma consumano anche significativamente meno energia.
RAM tampone | Senza buffer |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Modello compatibile | Latitudine E5250 |
Marca compatibile | Dell |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 14252087 |
Produttore | Memorysolution |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | MS4096DE-NB023 |
Data di rilascio | 14.11.2020 |
Marca compatibile | Dell |
Modello compatibile | Latitudine E5250 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3L-1600 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |