PHS-memory RAM adatta per Supermicro H12SSW-iNR

La RAM di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Supermicro H12SSW-iNR e offre una capacità di memoria di 16 GB. Questa RAM DDR4 è dotata di una frequenza di clock di 3200 MHz, garantendo elevate prestazioni ed efficienza per applicazioni esigenti. La memoria è progettata come ECC Registered, il che significa che dispone di una funzione di correzione degli errori che migliora l'integrità dei dati e aumenta la stabilità del sistema. Con una tensione di 1,2 Volt, questa RAM è energeticamente efficiente e contribuisce a ridurre il consumo energetico. I 288 pin del fattore di forma DIMM assicurano un'installazione semplice nei sistemi compatibili. Questa RAM è un'ottima scelta per gli utenti che desiderano ottimizzare le prestazioni del proprio sistema Supermicro H12SSW-iNR.

• Capacità di memoria di 16 GB per migliori capacità di multitasking
• ECC Registered per una maggiore integrità dei dati e stabilità del sistema
• Frequenza di clock di 3200 MHz per elevate prestazioni
• Tensione energeticamente efficiente di 1,2 Volt.