PHS-memory RAM adatta per Sony VAIO VPCEH2D0E
Sony VAIO VPCEH2D0E, 1 x 4GBConsegna tra sab, 21.6. e gio, 26.6.
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Configurazione della memoria
Informazioni sul prodotto
La RAM di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VPCEH2D0E e offre una capacità di memoria di 4 GB. Questa RAM DDR3 è dotata di una frequenza di clock di 1066 MHz, garantendo prestazioni affidabili per diverse applicazioni. Il fattore di forma SO-DIMM consente un'installazione semplice in dispositivi compatibili. Con una tensione di 1,5 Volt e 204 pin, questa memoria è ottimizzata per le esigenze del Sony VAIO VPCEH2D0E. L'uso di chip LPDDR3 assicura una maggiore efficienza energetica e prestazioni, rendendola una scelta ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop.
- 100% compatibile con Sony VAIO VPCEH2D0E
- Frequenza di clock di 1066 MHz
- Chip LPDDR3 ad alta efficienza energetica
- Installazione semplice nel formato SO-DIMM.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEH2D0E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 22396084 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP380734 |
Data di rilascio | 16.9.2022 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEH2D0E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
30 giorni di diritto di recesso
5 anni Garanzia (Bring-in)