Memorysolution DDR3
C850, C55, 1 x 4GBModello69
Informazioni sul prodotto
Il modulo RAM Memorysolution DDR3 offre un'espansione di memoria affidabile e potente per diversi notebook Toshiba. Con una capacità di 4 GB e una velocità di 1600 MHz (PC3-12800), questo modulo SO DIMM a 204 pin è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni dei loro dispositivi. Il design non bufferizzato e il controllo dell'integrità dei dati Non-ECC lo rendono una scelta eccellente per applicazioni quotidiane e multitasking. Progettato per una varietà di modelli Toshiba, tra cui le serie Dynabook Toshiba Portégé e Satellite, questo modulo garantisce un'integrazione e una compatibilità senza soluzione di continuità. L'uso della tecnologia DDR3 SDRAM assicura una maggiore efficienza energetica e prestazioni, mentre la tensione di 1,8 Volt garantisce un funzionamento stabile. Questo modulo RAM è una soluzione economica per chi desidera ottimizzare le prestazioni dei propri notebook.
- Compatibile con una varietà di modelli Toshiba
- Design non bufferizzato per prestazioni migliorate
- Controllo dell'integrità dei dati Non-ECC per un'elaborazione dei dati affidabile
- Tecnologia DDR3 SDRAM ad alta efficienza energetica
- Facile sostituzione e installazione negli slot SO DIMM a 204 pin.
RAM tampone | Senza buffer |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Modello compatibile | C55, C850 |
Marca compatibile | Toshiba |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 14208871 |
Produttore | Memorysolution |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | PA5037U-1M4G |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Colore | Verde |
Descrizione dettagliata del colore | Verde |
Colore LED | Senza LED |
Marca compatibile | Toshiba |
Modello compatibile | C55, C850 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.80 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |