Memorysolution DDR3L
Toshiba Satellite P50-C, 1 x 4GBModèle32
Informations sur le produit
L'article MS4096TOS-NB165 est une extension de mémoire pour la série TOSHIBA Satellite P50-C, qui est équipée d'origine de 4 Go de RAM. Le système peut être mis à niveau jusqu'à 32 Go de RAM. Pour la mise à niveau maximale de la mémoire, l'appareil dispose de 2 emplacements.
Il se peut que les informations fournies par le fabricant concernant la capacité maximale de mémoire soient obsolètes et diffèrent de nos indications. Cela est dû au fait que la technologie progresse rapidement ou que les révisions des fabricants de mémoire changent si vite qu'elles peinent à suivre la certification. Les modèles plus anciens ne sont peut-être même plus validés.
C'est là que Memorysolution intervient avec des tests approfondis et vous garantit la disponibilité continue de la mise à niveau, bien au-delà du cycle de production des fabricants. Notre module de mémoire qualifié pour la série TOSHIBA Satellite P50-C fonctionne également à pleine charge et respecte les spécifications du fabricant.
Plus rapide et mieux grâce à l'extension de mémoire : améliorez votre système et obtenez plus de puissance avec plus de RAM ! L'article MS4096TOS-NB165 pour la série TOSHIBA Satellite P50-C est idéal pour une mise à niveau maximale de 32 Go.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Modèle compatible | Toshiba Satellite P50-C |
Marque compatible | Toshiba |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Numéro d'article | 14225900 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096TOS-NB165 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | Toshiba |
Modèle compatible | Toshiba Satellite P50-C |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |