Memorysolution DDR3L
Fujitsu CELSIUS H730, 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Modèle compatible
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Informations sur le produit
Fiche d'information : MemorySolutioN - DDR3L - 4 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - sans tampon - non-ECC - pour Fujitsu Celsius H730 groupe de RAM fabricant MemorySolutioN Art. MS4096FSC-NB123 Modèle EAN/UPC 4047762441531 Description du produit : MemorySolutioN - DDR3L - 4 Go - SO DIMM 204-PIN Type de mémoire RAM Capacité 4 Go Type de mémoire DDR3L SDRAM - SO DIMM 204-PIN Type d'extension spécifique au système Contrôle d'intégrité des données Non-ECC Vitesse 1600 MHz (PC3L-12800) Caractéristiques de performance Basse tension , non tamponnée Tension 1.35 V Conçu pour Fujitsu Celsius H730 Détails détaillés Généralités Capacité 4 Go Type d'extension Spécifique au système Mémoire Type DRAM Technologie DDR3L SDRAM Facteur de forme SO DIMM 204-PIN Vitesse 1600 MHz (PC3L-12800) Contrôle de l'intégrité des données Particularités Non-ECC Basse tension , non tamponné Tension 1.35 V Informations sur la compatibilité Conçu pour Fujitsu Celsius H730.
Marque compatible | Fujitsu |
Modèle compatible | Fujitsu CELSIUS H730 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 14241109 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096FSC-NB123 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Liens externes |
Couleur | Vert |
Couleur exacte | Vert |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Fujitsu |
Modèle compatible | Fujitsu CELSIUS H730 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |