PHS-memory RAM passend für Supermicro H12SSW-iNR

Der RAM von PHS-memory ist speziell für das Modell Supermicro H12SSW-iNR konzipiert und bietet eine Speicherkapazität von 16 GB. Dieser DDR4-RAM ist mit einer Taktfrequenz von 3200 MHz ausgestattet und gewährleistet eine hohe Leistung und Effizienz für anspruchsvolle Anwendungen. Der Arbeitsspeicher ist als ECC Registered konzipiert, was bedeutet, dass er über eine Fehlerkorrekturfunktion verfügt, die die Datenintegrität verbessert und die Systemstabilität erhöht. Mit einer Spannung von 1,2 Volt ist dieser RAM energieeffizient und trägt zur Reduzierung des Stromverbrauchs bei. Die 288 Pins des DIMM-Formfaktors sorgen für eine einfache Installation in kompatiblen Systemen. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für Benutzer, die die Leistung ihres Supermicro H12SSW-iNR-Systems optimieren möchten.

• Speicherkapazität von 16 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten
• ECC Registered für erhöhte Datenintegrität und Systemstabilität
• Taktfrequenz von 3200 MHz für hohe Leistung
• Energieeffiziente 1,2 Volt Spannung.