Silicon Quantum Integrated Circuits

Il libro "Circuiti Integrati Quantistici in Silicio" offre un'analisi approfondita degli effetti quantistici che stanno diventando sempre più rilevanti nella microelettronica, specialmente quando le dimensioni strutturali si riducono a 100 nm nella dimensione laterale e 10 nm in quella verticale. Esamina concetti avanzati di dispositivi che sfruttano questi effetti per sviluppare circuiti integrati con caratteristiche innovative o migliorate. L'attenzione è rivolta ai dispositivi quantistici basati sul silicio, che possono essere operati a temperatura ambiente. Gli autori discutono i principi fisici fondamentali, i materiali e gli aspetti tecnologici, nonché il funzionamento fondamentale dei dispositivi in un contesto interdisciplinare. Viene particolarmente sottolineato il ruolo dei dispositivi a eterostruttura in Silicio-Germanio (SiGe) nella realizzazione dell'elettronica quantistica basata sul silicio.