Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs

"Fondamenti dei MOSFET in semiconduttori III-V" offre un'introduzione completa alle basi e allo stato attuale della ricerca sui transistor a effetto di campo a ossido metallico (MOSFET) realizzati con semiconduttori III-V. Questi transistor sono considerati potenziali successori del silicio nei circuiti digitali. Il libro tratta le caratteristiche specifiche dei semiconduttori III-V e le tecnologie che li rendono attraenti per la tecnologia MOSFET, inclusi le eterostrutture ingegnerizzate in banda e il controllo su scala nanometrica durante la crescita epitassiale. Un tema centrale è la sfida di sviluppare un dielettrico di gate di alta qualità e termodinamicamente stabile, in grado di passivare gli stati di interfaccia, simile a SiO2 nel silicio. L'opera offre approfondimenti dettagliati sulla scienza dei materiali e sul comportamento elettronico di vari dielettrici, nonché sulla fisica dei dispositivi realizzati e sulle tecnologie di produzione dei MOSFET. Vengono inoltre trattati i progressi recenti e le sfide nell'integrazione di diversi materiali semiconduttori su piattaforme di silicio.