Application of Pelletron Accelerator to Study Total Dose Radiation

Il libro "Application of Pelletron Accelerator to Study Total Dose Radiation" offre un'analisi approfondita degli effetti delle radiazioni ionizzanti sui dispositivi a semiconduttore a ossido metallico (MOS) e sui dispositivi bipolari. Viene esaminato come queste radiazioni possano compromettere le proprietà elettriche dei dispositivi, generando cariche superficiali e di ossido, nonché difetti puntiformi. Per garantire l'idoneità di questi dispositivi in ambienti ad alta radiazione, come nello spazio, è fondamentale comprendere i vari effetti delle radiazioni. Il libro documenta esperimenti in cui MOSFET a deplezione N-channel e transistor NPN in silicio sono stati irradiati con ioni pesanti, confrontando i risultati con quelli ottenuti da irradiazione gamma. L'analisi dettagliata delle caratteristiche I-V dei dispositivi è supportata dall'uso di tecnologie di misurazione moderne.