Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

Il libro "Modellazione Analitica dell'Effetto di Breakdown nel Transistor a Effetto Campo a Nanoribbon di Grafene" offre un'analisi completa degli effetti della tensione di breakdown (BV) sulle strutture a base di grafene. Tratta approcci e modelli analitici che si concentrano sulle proprietà dei transistor a effetto campo a nanoribbon di grafene (GNRFET). Gli autori presentano modelli semi-analitici che esaminano vari aspetti come il campo elettrico laterale, la lunghezza della regione di saturazione della velocità (LVSR) e il coefficiente di ionizzazione. Attraverso l'applicazione della legge di Gauss nelle regioni di drain e source, vengono derivate equazioni per il potenziale superficiale e il campo elettrico laterale. Il lavoro offre preziose intuizioni per l'ottimizzazione dei dispositivi semiconduttori e dei sensori, analizzando la BV in diverse condizioni. I risultati mostrano che la tensione di funzionamento dei FET può essere ridotta fino a 0,25 V per evitare un breakdown e, dopo ottimizzazione, può essere aumentata fino a 1,5 V.