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Samsung 990 EVO Plus
2000 GB, M.2 2280
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Samsung 990 EVO Plus vs Kioxia Exceria Plus G4
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PCIe 4.0Versione dell'interfaccia
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PCIe 5.0Velocità di lettura
Velocità di lettura
7250 MB/sVelocità di lettura
Velocità di lettura
10000 MB/sVelocità di scrittura
Velocità di scrittura
6300 MB/sVelocità di scrittura
Velocità di scrittura
8200 MB/sMax lettura random 4K
Max lettura random 4K
1000000 IOPSMax lettura random 4K
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1300000 IOPSMax scrittura random 4K
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1350000 IOPSMax scrittura random 4K
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1400000 IOPSValutazione complessiva
Valutazione complessiva
Molto buono (93/100) in 2 testValutazione complessiva
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Molto buono (81/100) in 3 testDescrizione
Descrizione
Completa i tuoi compiti in un attimo. La 990 EVO Plus con memoria NAND Flash attuale offre velocità diDescrizione
Descrizione
Exceria Plus G4 è un SSD ad alte prestazioni di Kioxia. Offre un'elevata capacità di archiviazione edNo. di articolo
No. di articolo
49727921No. di articolo
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53959371Produttore
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SamsungProduttore
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KioxiaCategoria
Categoria
SSDCategoria
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0.5 %
Ritenuta di garanzia
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Durata della garanzia
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2 giorni
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Quota di reso
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2.2 %
Quota di reso
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1.3 %
No. di fabbricazione
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MZ-V9S2T0BWNo. di fabbricazione
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LVD10Z002TG8Data di rilascio
Data di rilascio
13.9.2024Data di rilascio
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10.1.2025Classifica di vendita secondo Categoria SSD
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5 di 3279Classifica di vendita secondo Categoria SSD
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13 di 3279Tipo di SSD
Tipo di SSD
SSD M.2Tipo di SSD
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SSD M.2Fattore forma
Fattore forma
M.2 2280Fattore forma
Fattore forma
M.2 2280Capacità memoria
Capacità memoria
2000 GBCapacità memoria
Capacità memoria
2000 GBInterfaccia
Interfaccia
PCIeInterfaccia
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PCIeVersione dell'interfaccia
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PCIe 4.0Versione dell'interfaccia
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PCIe 5.0Protocollo
Protocollo
NVMeProtocollo
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7250 MB/sVelocità di lettura
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10000 MB/sVelocità di scrittura
Velocità di scrittura
6300 MB/sVelocità di scrittura
Velocità di scrittura
8200 MB/sTipo di memoria (NAND)
Tipo di memoria (NAND)
TLCTipo di memoria (NAND)
Tipo di memoria (NAND)
TLCMax lettura random 4K
Max lettura random 4K
1000000 IOPSMax lettura random 4K
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1300000 IOPSMax scrittura random 4K
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1350000 IOPSMax scrittura random 4K
Max scrittura random 4K
1400000 IOPSRaffreddamento dell'accumulo
Raffreddamento dell'accumulo
senza dissipatoreRaffreddamento dell'accumulo
Raffreddamento dell'accumulo
senza dissipatoreAmbito di applicazione
Ambito di applicazione
PolivalenteArea di applicazione della memoria
Area di applicazione della memoria
sconosciutoCaratteristiche SSD
Caratteristiche SSD
Crittografia AES, GC (Algoritmo di raccolta dei rifiuti)
Caratteristiche SSD
Caratteristiche SSD
Supporto SMART, Supporto SSD TRIM
Max. TBW
Max. TBW
1200 TBMax. TBW
Max. TBW
1200 TBMTBF
MTBF
1500000 hMTBF
MTBF
1500000 hConsumo di energia
Consumo di energia
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Consumo di energia
sconosciutoConsumo energetico (standby)
Consumo energetico (standby)
0.06 WConsumo energetico (standby)
Consumo energetico (standby)
sconosciutoPaese di origine
Paese di origine
CinaPaese di origine
Paese di origine
Cina, Giappone
Impegno del produttore
Impegno del produttore
RE100Impegno del produttore
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sconosciutoFornitura
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SSDFornitura
Fornitura
SSDLunghezza
Lunghezza
8.02 cmLunghezza
Lunghezza
8.02 cmLarghezza
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2.20 cmLarghezza
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Altezza
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Peso
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10.30 cmLarghezza
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10.50 cmAltezza
Altezza
1.80 cmAltezza
Altezza
1.70 cmPeso
Peso
71 gPeso
Peso
43 gGaranzia
Garanzia
5 anni Garanzia (Bring-in)Garanzia
Garanzia
24 mesi Garanzia (Bring-in)Confronti simili
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