PHS-memory RAM adatta per Netgear ReadyNAS RN 31844E
Netgear ReadyNAS RN 31844E, 2 x 4GBSolo 2 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La RAM di PHS-memory è progettata specificamente per il Netgear ReadyNAS RN 31844E e offre una capacità di memoria di 8 GB, suddivisa in due moduli da 4 GB ciascuno. Questa RAM DDR3 è una soluzione ideale per migliorare le prestazioni del sistema e supportare applicazioni impegnative. Con una frequenza di clock della memoria di 1600 MHz, questa memoria offre un'elaborazione dei dati rapida e prestazioni efficienti. Il fattore di forma unbuffered U-DIMM e la tensione operativa di 1,35 Volt rendono questa RAM una scelta affidabile per gli utenti che desiderano ottimizzare le prestazioni del loro sistema ReadyNAS. La compatibilità con il modello specifico garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza soluzione di continuità nei sistemi esistenti.
- Capacità di memoria di 8 GB, suddivisa in 2 moduli (2x4GB)
- RAM DDR3 con una frequenza di 1600 MHz
- Fattore di forma unbuffered U-DIMM per prestazioni migliorate
- Tensione operativa di 1,35 Volt per un funzionamento energeticamente efficiente.
Marca compatibile | Netgear |
Modello compatibile | Netgear ReadyNAS RN 31844E |
Configurazione della memoria | 2 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
RAM tampone | Senza buffer |
No. di articolo | 22389651 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP157525 |
Data di rilascio | 16.9.2022 |
Marca compatibile | Netgear |
Modello compatibile | Netgear ReadyNAS RN 31844E |
Configurazione della memoria | 2 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 2 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 8 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | U-DIMM |
Numero di pin | 240 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |