PHS-memory 8GB di memoria RAM per Acer Aspire Timeline Ultra M3-581TG-73534G52Makk DDR3 SO DIMM 1600MHz
Acer Aspire Timeline Ultra M3-581TG-73534G52Makk, 1 x 8GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 8GB di PHS-memory è progettata specificamente per l'Acer Aspire Timeline Ultra M3-581TG-73534G52Makk e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di 8 Gigabyte e una frequenza di clock di 1600 MHz, questa RAM DDR3 SO-DIMM consente una migliore capacità di multitasking e una più rapida elaborazione dei dati. La compatibilità con il modello specifico garantisce un'installazione semplice e prestazioni ottimali. La RAM è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop, sia per applicazioni quotidiane, multimedia o compiti più impegnativi. L'uso di chip LPDDR3 assicura una gestione energetica efficiente, il che è particolarmente vantaggioso per i dispositivi mobili. Questa memoria è un'ottima scelta per chi desidera massimizzare la funzionalità del proprio Acer Aspire Timeline Ultra M3-581TG-73534G52Makk.
- 100% compatibile con Acer Aspire Timeline Ultra M3-581TG-73534G52Makk
- Capacità di memoria di 8GB per prestazioni migliorate
- Frequenza di clock di 1600 MHz per una rapida elaborazione dei dati
- Chip LPDDR3 a basso consumo energetico per prestazioni ottimizzate.
Marca compatibile | Acer |
Modello compatibile | Acer Aspire Timeline Ultra M3-581TG-73534G52Makk |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 22224679 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP346735 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Acer |
Modello compatibile | Acer Aspire Timeline Ultra M3-581TG-73534G52Makk |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 8 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |