PHS-memory 4GB di memoria RAM per Toshiba NB550D-111 DDR3 SO DIMM
Toshiba NB550D-111, 1 x 4GBConsegna tra mer, 11.6. e sab, 14.6.
Più di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Più di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Toshiba NB550D-111 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock di 1333 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa memoria è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio dispositivo. La compatibilità con il Toshiba NB550D-111 garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza soluzione di continuità nel sistema esistente. La memoria è progettata per funzionare a una tensione di 1,5 Volt e utilizza chip LPDDR3, noti per la loro efficienza. Questa espansione RAM è un'ottima scelta per chi desidera migliorare le capacità di multitasking del proprio laptop.
- 100% compatibile con Toshiba NB550D-111
- Frequenza di clock di 1333 MHz
- Basso consumo energetico grazie ai chip LPDDR3
- Installazione semplice nel formato SO-DIMM.
Marca compatibile | Toshiba |
Modello compatibile | Toshiba NB550D-111 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 14203489 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP218737 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Toshiba |
Modello compatibile | Toshiba NB550D-111 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
30 giorni di diritto di recesso
5 anni Garanzia (Bring-in)