PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VAIO VPCEH3J1E DDR3 SO DIMM 1333MHz PC3-10600S
Sony VAIO VPCEH3J1E, 1 x 4GBConsegna tra mar, 3.6. e ven, 6.6.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è specificamente progettata per il modello Sony VAIO VPCEH3J1E e offre un'espansione della memoria affidabile e potente. Con una capacità di 4GB e una frequenza di clock di 1333MHz (PC3-10600S), questo RAM DDR3 SO-DIMM consente un miglioramento delle prestazioni del sistema e un'esecuzione fluida delle applicazioni. La compatibilità con il Sony VAIO VPCEH3J1E garantisce un'installazione e un utilizzo semplici, permettendo agli utenti di beneficiare di prestazioni ottimizzate. La RAM è dotata di 204 pin e funziona a una tensione di 1.5 Volt, rendendola una scelta energeticamente efficiente per il tuo dispositivo.
- 100% compatibile con Sony VAIO VPCEH3J1E
- Memoria RAM DDR3 SO-DIMM
- Frequenza di clock di 1333MHz
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione di funzionamento di 1.5 Volt.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEH3J1E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 22396678 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP368753 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEH3J1E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3L-1333 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
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