PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VAIO VGN-NW11S/S DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S
Sony VAIO VGN-NW11S/S, 1 x 4GBConsegna tra ven, 16.5. e mar, 20.5.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VGN-NW11S/S e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 800 MHz e una capacità di 4 GB, questa memoria DDR2 SO-DIMM consente una migliore capacità di multitasking e una più rapida elaborazione dei dati. La compatibilità con il Sony VAIO VGN-NW11S/S garantisce un'installazione semplice e prestazioni ottimali. La RAM è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop, sia per applicazioni quotidiane che per compiti più impegnativi. Con una tensione di 1.8 Volt e 200 pin, questa memoria è un'ottima scelta per l'upgrade del sistema.
- 100% compatibile con Sony VAIO VGN-NW11S/S
- Consente migliori capacità di multitasking
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VGN-NW11S/S |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 800 MHz |
No. di articolo | 22395243 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP129012 |
Data di rilascio | 17.9.2022 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VGN-NW11S/S |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 800 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 200 x |
Tensione elettrica | 1.80 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
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30 giorni di diritto di recesso
Politica sui resi
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