PHS-memory 4GB di memoria RAM per Samsung NP-RV511-S04ES DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-RV511-S04ES, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-RV511-S04ES e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di archiviazione di 4 gigabyte e una frequenza di clock di 1066 MHz, questa RAM DDR3 SO-DIMM consente un miglioramento delle prestazioni del sistema e un utilizzo più fluido delle applicazioni. La compatibilità con il Samsung NP-RV511-S04ES garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza soluzione di continuità nei sistemi esistenti. La memoria è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop, sia per attività quotidiane che per applicazioni più impegnative. Con una tensione di 1,5 Volt e una configurazione di memoria di 1 x 4GB, questa RAM rappresenta una soluzione efficiente per l'ottimizzazione delle risorse di sistema.
- Compatibile con Samsung NP-RV511-S04ES
- Capacità di archiviazione di 4GB per prestazioni migliorate
- Frequenza di clock di 1066 MHz per un'elaborazione dati efficiente.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-RV511-S04ES |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14321093 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP231073 |
Data di rilascio | 15.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-RV511-S04ES |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |