PHS-memory 4GB di memoria RAM per Samsung NP-R730-JT04 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-R730-JT04, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-R730-JT04 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa memoria è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop. La compatibilità con il Samsung NP-R730-JT04 garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza soluzione di continuità nel sistema esistente. La memoria opera a una tensione di 1,5 Volt e utilizza la moderna tecnologia LPDDR3 per garantire una gestione energetica efficiente. Queste caratteristiche rendono la RAM PHS-memory un'ottima scelta per chiunque voglia ottimizzare le prestazioni del proprio laptop.
- 100% compatibile con Samsung NP-R730-JT04
- RAM DDR3 con fattore di forma SO-DIMM
- Frequenza di clock di 1066 MHz
- Chip LPDDR3 a basso consumo energetico con tensione di 1,5 Volt.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R730-JT04 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14322732 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP188425 |
Data di rilascio | 15.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R730-JT04 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |