PHS-memory 4GB di memoria RAM per Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024) DDR3 SO DIMM 1333MHz
Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024), 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024) e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock della memoria di 1333 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM è ottimale per le esigenze delle applicazioni moderne. La configurazione a 204 pin garantisce un'installazione semplice e compatibilità con il modello di laptop corrispondente. La memoria è progettata per aumentare le prestazioni del sistema e consentire un utilizzo fluido, sia per compiti quotidiani che per applicazioni più impegnative. L'uso di chip LPDDR3 assicura una gestione energetica efficiente e contribuisce alla stabilità del sistema. Questa RAM è una scelta ideale per chi desidera migliorare le prestazioni del proprio laptop Packard Bell EasyNote.
- 100% compatibile con Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024)
- Frequenza di clock della memoria di 1333 MHz per prestazioni migliorate
- Chip LPDDR3 a basso consumo energetico per un utilizzo stabile
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM a 204 pin.
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 22390721 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP139869 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |