PHS-memory 4GB di memoria RAM per Packard Bell EasyNote NX69-HR-171GE (LX.BUP02.014) DDR3 SO DIMM 1333MHz
Packard Bell EasyNote NX69-HR-171GE (LX.BUP02.014), 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Packard Bell EasyNote NX69-HR-171GE (LX.BUP02.014) e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di 4GB e una frequenza di clock di 1333MHz, questa RAM DDR3 SO-DIMM consente un miglioramento delle prestazioni di sistema e un utilizzo più fluido delle applicazioni. La compatibilità con il modello specifico garantisce un'installazione semplice e una funzionalità ottimale. La RAM è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio notebook, sia per compiti quotidiani che per applicazioni più impegnative. L'uso della tecnologia LPDDR3 assicura una gestione energetica efficiente e contribuisce alla longevità del dispositivo. Con una tensione di 1,5 Volt, questa RAM è sia potente che energeticamente efficiente, rendendola un'ottima scelta per il Packard Bell EasyNote NX69-HR-171GE.
- 100% compatibile con Packard Bell EasyNote NX69-HR-171GE (LX.BUP02.014)
- Capacità di memoria di 4GB per prestazioni migliorate
- Frequenza di clock di 1333MHz per un'elaborazione dati rapida
- Tecnologia LPDDR3 per una gestione energetica efficiente.
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote NX69-HR-171GE (LX.BUP02.014) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 14221217 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP140341 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote NX69-HR-171GE (LX.BUP02.014) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |