PHS-memory 4GB di memoria RAM per FOXCONN nT-i1200 DDR3 SO DIMM 1333MHz PC3-10600S
FOXCONN nT-i1200, 1 x 4GBConsegna tra sab, 21.6. e gio, 26.6.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello FOXCONN nT-i1200 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di archiviazione di 4 Gigabyte e una frequenza di clock di 1333 MHz (PC3-10600S), questo RAM DDR3 SO-DIMM è ideale per applicazioni che richiedono un'elaborazione dati rapida. Il fattore di forma SO-DIMM consente un'installazione semplice in sistemi compatti, mentre i 204 pin e la tensione operativa di 1,5 Volt garantiscono un'alta compatibilità e efficienza. Questa RAM è un'ottima scelta per gli utenti che desiderano ottimizzare le prestazioni del loro FOXCONN nT-i1200.
- 100% compatibile con FOXCONN nT-i1200
- Chip LPDDR3 per un miglioramento dell'efficienza energetica
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM.
Marca compatibile | Foxconn |
Modello compatibile | FOXCONN nT-i1200 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 22260323 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP258867 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Foxconn |
Modello compatibile | FOXCONN nT-i1200 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
30 giorni di diritto di recesso
5 anni Garanzia (Bring-in)