PHS-memory 4 GB di memoria RAM per Sony VAIO SVE1111M1EW DDR3 SO DIMM
Sony VAIO SVE1111M1EW, 1 x 4GBConsegna tra sab, 14.6. e gio, 19.6.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO SVE1111M1EW e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock di 1333 MHz e un fattore di forma SO-DIMM, questa RAM DDR3 è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop. La memoria è dotata di 204 pin e funziona a una tensione di 1,5 Volt, rendendola una scelta energeticamente efficiente per l'uso quotidiano. La capacità di 4GB per modulo consente una migliore capacità di multitasking e garantisce un funzionamento fluido delle applicazioni. Questa RAM è un'ottima scelta per chiunque voglia ottimizzare le prestazioni del proprio laptop Sony VAIO.
- 100% compatibile con Sony VAIO SVE1111M1EW
- Frequenza di clock di 1333 MHz per prestazioni migliorate
- Funzionamento energeticamente efficiente con tensione di 1,5 Volt
- Tecnologia chip LPDDR3 per un'efficienza ottimale.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO SVE1111M1EW |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 22394723 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP127708 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO SVE1111M1EW |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
30 giorni di diritto di recesso
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