PHS-memory 2GB di memoria RAM per Sony VAIO VGN-FE41E DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Sony VAIO VGN-FE41E, 1 x 2GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VGN-FE41E e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 667 MHz e una capacità di 2 GB, questa RAM DDR2 SO-DIMM consente un miglioramento delle prestazioni del sistema e un'esecuzione più fluida delle applicazioni. La compatibilità con il Sony VAIO VGN-FE41E garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza soluzione di continuità nei sistemi esistenti. La RAM è dotata di 200 pin e funziona a una tensione di 1,8 Volt, rendendola una scelta energeticamente efficiente per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop. Questo modulo di memoria è una soluzione ideale per chi desidera migliorare le capacità di multitasking del proprio dispositivo o aumentare le prestazioni in applicazioni che richiedono molte risorse.
- 100% compatibile con Sony VAIO VGN-FE41E
- Tensione energeticamente efficiente di 1,8 Volt
- Ottimizzato per migliorare le prestazioni del sistema e il multitasking.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VGN-FE41E |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 667 MHz |
No. di articolo | 22395748 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP104755 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VGN-FE41E |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 667 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 200 x |
Tensione elettrica | 1.80 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |