PHS-memory 2GB di memoria RAM per Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) DDR3 SO DIMM

Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011), 1 x 2GB
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Informazioni sul prodotto

La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e una tensione di 1,5 Volt, questa RAM DDR3 SO-DIMM garantisce prestazioni ottimali per applicazioni quotidiane e multitasking. La compatibilità con il modello specifico assicura agli utenti un'installazione semplice e un funzionamento fluido. La RAM è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio notebook, sia per applicazioni d'ufficio, utilizzo di internet o applicazioni multimediali. L'uso di chip LPDDR3 contribuisce inoltre a una maggiore efficienza energetica, prolungando la vita del dispositivo. Questa RAM è un'ottima scelta per chi desidera ampliare la funzionalità del proprio notebook Packard Bell.

  • 100% compatibile con Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011)
  • Frequenza di clock di 1066 MHz per prestazioni migliorate
  • Chip LPDDR3 a basso consumo energetico per una maggiore durata del dispositivo
  • Formato SO-DIMM facile da installare.

Le specifiche più importanti in sintesi

Marca compatibile
Campana Packard
Modello compatibile
Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011)
Configurazione della memoria
1 x 2GB
Tipo di RAM
DDR3-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
1066 MHz
No. di articolo
14220839

Informazioni generali

Produttore
PHS-memory
Categoria
Memoria RAM (modelli specifici)
No. di fabbricazione
SP143588
Data di rilascio
13.11.2020
Collegamenti esterni

RAM

Marca compatibile
Campana Packard
Modello compatibile
Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011)
Configurazione della memoria
1 x 2GB
Settori di utilizzo
Notebook
Tipo di RAM
DDR3-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
1066 MHz
No. moduli di memoria (RAM)
1 x
Capacità memoria (RAM) per modulo
2 GB
Chip RAM
LPDDR3
Forma RAM
SO-DIMM
Numero di pin
204 x

Alimentazione

Tensione elettrica
1.50 V

Origine

Paese di origine
Cina

Contributo climatico volontario

Emissione di CO₂
Contributo climatico

30 giorni di diritto di recesso
5 anni Garanzia (Bring-in)

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