PHS-memory 2GB di memoria RAM per Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) DDR3 SO DIMM
Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011), 1 x 2GBSolo 1 pezzo in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e una tensione di 1,5 Volt, questa RAM DDR3 SO-DIMM garantisce prestazioni ottimali per applicazioni quotidiane e multitasking. La compatibilità con il modello specifico assicura agli utenti un'installazione semplice e un funzionamento fluido. La RAM è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio notebook, sia per applicazioni d'ufficio, utilizzo di internet o applicazioni multimediali. L'uso di chip LPDDR3 contribuisce inoltre a una maggiore efficienza energetica, prolungando la vita del dispositivo. Questa RAM è un'ottima scelta per chi desidera ampliare la funzionalità del proprio notebook Packard Bell.
- 100% compatibile con Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011)
- Frequenza di clock di 1066 MHz per prestazioni migliorate
- Chip LPDDR3 a basso consumo energetico per una maggiore durata del dispositivo
- Formato SO-DIMM facile da installare.
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14220839 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP143588 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Collegamenti esterni |
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |