PHS-memory 2 GB di memoria RAM per FOXCONN H-I41-uATX (Eton/EtonL) DDR3 UDIMM

FOXCONN H-I41-uATX (Eton/EtonL), 1 x 2GB
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Informazioni sul prodotto

La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per la scheda madre FOXCONN H-I41-uATX (Eton/EtonL) e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una capacità di 2 gigabyte e una frequenza di clock di 1333 megahertz (MHz), questo RAM DDR3 UDIMM è una scelta ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del loro sistema. La RAM unbuffered è facile da installare e garantisce una migliore reattività del sistema e capacità di multitasking. La configurazione a 240 pin assicura un'integrazione senza soluzione di continuità nella scheda madre compatibile, mentre la tensione di 1,5 volt garantisce un funzionamento stabile. Questa memoria è una soluzione economica per ottimizzare le prestazioni dei sistemi più vecchi e migliorare l'esperienza dell'utente.

  • Compatibile con FOXCONN H-I41-uATX (Eton/EtonL)
  • Frequenza di memoria di 1333 MHz
  • RAM unbuffered per prestazioni di sistema migliorate
  • Fattore di forma U-DIMM a 240 pin.

Le specifiche più importanti in sintesi

Marca compatibile
Foxconn
Modello compatibile
FOXCONN H-I41-uATX (Eton/EtonL)
Configurazione della memoria
1 x 2GB
Tipo di RAM
DDR3-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
1333 MHz
RAM tampone
Senza buffer
No. di articolo
22260312

Informazioni generali

Produttore
PHS-memory
Categoria
Memoria RAM (modelli specifici)
No. di fabbricazione
SP258965
Data di rilascio
19.4.2021

RAM

Marca compatibile
Foxconn
Modello compatibile
FOXCONN H-I41-uATX (Eton/EtonL)
Configurazione della memoria
1 x 2GB
Tipo di RAM
DDR3-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
1333 MHz
Capacità memoria (RAM) per modulo
2 GB
Chip RAM
LPDDR3
Forma RAM
U-DIMM
Numero di pin
240 x
RAM tampone
Senza buffer

Alimentazione

Tensione elettrica
1.50 V

Contributo climatico volontario

Emissione di CO₂
Contributo climatico

30 giorni di diritto di recesso
5 anni Garanzia (Bring-in)

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