PHS-memory 16GB (2x8GB) Kit di memoria RAM per Western Digital My Cloud PR4100 DDR3 SO DIMM 1600MHz
Western Digital My Cloud PR4100, 2 x 8GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 16GB (2x8GB) di PHS-memory è progettata specificamente per l'uso con il Western Digital My Cloud PR4100. Questa memoria offre elevate prestazioni e affidabilità, necessarie per applicazioni server e workstation. Con una frequenza di clock di 1600 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM garantisce un'elaborazione dei dati efficiente e tempi di risposta del sistema migliorati. La configurazione con due moduli da 8GB ciascuno consente un utilizzo ottimale della memoria disponibile, aumentando le prestazioni complessive del sistema. La compatibilità con il Western Digital My Cloud PR4100 assicura che gli utenti possano beneficiare di un'integrazione fluida e di un funzionamento senza problemi. Questa RAM è una scelta ideale per chi desidera massimizzare le prestazioni delle proprie soluzioni di memoria.
- 100% compatibile con Western Digital My Cloud PR4100
- Frequenza di clock di 1600 MHz per prestazioni migliorate
- Configurazione di memoria ottimale con moduli da 2 x 8GB
- Bassa tensione di 1.35 Volt per un funzionamento energeticamente efficiente.
Marca compatibile | Digitale occidentale |
Modello compatibile | Western Digital My Cloud PR4100 |
Configurazione della memoria | 2 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 14228509 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP266843 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Digitale occidentale |
Modello compatibile | Western Digital My Cloud PR4100 |
Configurazione della memoria | 2 x 8GB |
Settori di utilizzo | Server / Postazione di lavoro |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 2 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 16 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |