Memorysolution DDR4
Latitudine E5570, 1 x 8GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Modello
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- ThinkPad X260CHF100.86
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- Vostro V 15 5568CHF100.86
- ZBook 15U G3CHF87.86
- ZBook Studio G3CHF100.86
- ZenBook UX510UWCHF100.86
Informazioni sul prodotto
Il modulo RAM Memorysolution DDR4 offre un'espansione di memoria affidabile e potente per sistemi compatibili, in particolare per il Dell Latitude E5570. Con una capacità di 8 GB e una velocità di 2133 MHz (PC4-17000), questo modulo SO DIMM a 260 pin è ideale per applicazioni che richiedono un'elaborazione dati rapida. Il design unbuffered e la tecnologia Non-ECC garantiscono prestazioni efficienti senza latenza aggiuntiva, rendendolo una scelta eccellente per gli utenti che desiderano ottimizzare le prestazioni del loro sistema. Con una tensione di funzionamento di 1,2 V, questo modulo contribuisce anche all'efficienza energetica, il che è particolarmente vantaggioso nei dispositivi mobili. L'installazione semplice e la compatibilità con il Dell Latitude E5570 lo rendono una soluzione pratica per l'aggiornamento dei notebook.
- Capacità di memoria di 8 GB per migliorare le capacità di multitasking
- Velocità di funzionamento di 2133 MHz per un'elaborazione dati rapida
- Design unbuffered per tempi di latenza ridotti
- Progettato per una compatibilità specifica con il Dell Latitude E5570.
Marca compatibile | Dell |
Modello compatibile | Latitudine E5570 |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR4-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 2133 MHz |
RAM tampone | Senza buffer |
No. di articolo | 14225896 |
Produttore | Memorysolution |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | MS8192DE-NB011 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Dell |
Modello compatibile | Latitudine E5570 |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR4-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 2133 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 8 GB |
Chip RAM | DDR4-2133 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 260 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.20 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |