PHS-memory RAM compatible avec Lenovo ThinkStation P350 SFF (30E5) (Processeur Xeon)
Lenovo ThinkStation P350 SFF (30E5) (Processeur Xeon), 1 x 16GBLivré entre 13/1/2026 et 19/1/2026
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Configuration de la mémoire2
Informations sur le produit
La RAM de PHS-memory est spécialement conçue pour la Lenovo ThinkStation P350 SFF (30E5) avec processeur Xeon et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une capacité de 16 Go, cette RAM DDR4 permet une meilleure capacité multitâche et un traitement des données plus rapide. La mémoire est dotée d'une fréquence d'horloge de 3200 MHz, garantissant une grande vitesse et efficacité lors de l'exécution des applications. Le facteur de forme U-DIMM non tamponné facilite l'installation et la compatibilité avec la ThinkStation, permettant aux utilisateurs d'optimiser les performances de leurs systèmes. Cette RAM est un choix idéal pour les applications professionnelles nécessitant une grande puissance de calcul.
- Capacité de mémoire de 16 Go pour une meilleure capacité multitâche
- Haute fréquence d'horloge de 3200 MHz pour un traitement rapide des données
- Facteur de forme U-DIMM non tamponné pour une installation facile
- Compatible avec la Lenovo ThinkStation P350 SFF (30E5) avec processeur Xeon.
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Modèle compatible | Lenovo ThinkStation P350 SFF (30E5) (Processeur Xeon) |
Marque compatible | Lenovo |
Configuration de la mémoire | 1 x 16GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 3200 MHz |
Numéro d'article | 22373744 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP392215 |
Date de sortie | 16/9/2022 |
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo ThinkStation P350 SFF (30E5) (Processeur Xeon) |
Configuration de la mémoire | 1 x 16GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 3200 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 16 Go |
Puce mémoire vive | DDR4 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 288x |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Tension électrique | 1.20 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
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