Memorysolution Mémoire
H920, 1 x 4GBModèle83
Informations sur le produit
La mémoire de Memorysolution est une mémoire RAM de haute qualité, spécialement conçue pour des systèmes aux exigences spécifiques. Avec une capacité de 4 Go, ce module offre des performances fiables pour diverses applications, en particulier dans les ordinateurs portables. Le format SO-DIMM et le type de RAM DDR3 garantissent une intégration facile dans les appareils compatibles. La configuration non tamponnée permet une communication directe entre la RAM et le processeur, ce qui augmente l'efficacité et la vitesse du traitement des données. Ce produit est idéal pour les utilisateurs souhaitant mettre à niveau ou remplacer leurs systèmes afin d'obtenir de meilleures performances. L'utilisation de composants de haute qualité provenant de fabricants renommés tels que Samsung et Hynix garantit une excellente qualité et durabilité. De plus, une garantie de 10 ans est offerte sur toutes les mémoires spécifiques aux systèmes, ce qui apporte une sécurité supplémentaire aux utilisateurs.
- Compatible avec une variété de systèmes, y compris les modèles Fujitsu-Siemens
- Excellente qualité grâce à l'utilisation de composants de marque
- RAM non tamponnée pour un traitement des données amélioré
- Garantie à long terme de 10 ans pour une sécurité supplémentaire.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Modèle compatible | H920 |
Marque compatible | Fujitsu-Siemens |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Numéro d'article | 14256960 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096FSC-NB108 |
Date de sortie | 14/11/2020 |
Couleur | Vert |
Couleur exacte | Vert |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Fujitsu-Siemens |
Modèle compatible | H920 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |