Memorysolution DDR3
ThinkStation E30, 1 x 4GBPlus que 1 pièce en stock chez le fournisseur
Modèle69
Informations sur le produit
L'article MS4096IBM600 est une extension de mémoire pour IBM/Lenovo novo ThinkStation E30, qui est équipée d'origine de 2 Go de RAM. Le système IBM/Lenovo novo ThinkStation E30 peut être mis à niveau jusqu'à 32 Go de RAM. Pour une mise à niveau maximale de la mémoire, l'appareil dispose de 4 emplacements.
Les informations des fabricants concernant la capacité maximale de mémoire peuvent parfois être obsolètes et peuvent différer de nos indications. Pourquoi ? Parce que la technologie progresse rapidement ou que les révisions des fabricants de mémoire changent si vite qu'elles peinent à suivre la certification, voire que les anciens modèles ne sont plus validés.
C'est là que Memorysolution intervient avec des tests approfondis et vous garantit la disponibilité continue de la mise à niveau, bien au-delà du cycle de production des fabricants. Notre module de mémoire qualifié pour IBM/Lenovo novo ThinkStation E30 fonctionne également sous pleine charge et respecte absolument les spécifications du fabricant.
Plus rapide, meilleur grâce à l'extension de mémoire, améliorez votre système : plus de puissance avec plus de RAM (mémoire vive) ! L'article MS4096IBM600 pour IBM/Lenovo novo ThinkStation E30 est idéalement équipé pour une mise à niveau maximale de 32 Go de mémoire.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Modèle compatible | ThinkStation E30 |
Marque compatible | Lenovo |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Numéro d'article | 14218981 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096IBM600 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | ThinkStation E30 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Facteur de forme mémoire vive | DIMM |
Nombre de broches | 240 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |