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Transcend

Die DDR4-DRAM-Module von Transcend arbeiten mit einer Nennspannung von nur 1,2 V und bieten eine höhere Energieeffizienz sowie aussergewöhnliche Taktraten, um den Anforderungen der Embedded-Industrie gerecht zu werden. Die Module sind in verschiedenen Formfaktoren und Technologien erhältlich, darunter ECC und Unterstützung für erweiterte Temperaturbereiche. Alle Komponenten sind von höchster Qualität, direkt von einem der weltweit führenden Anbieter von DRAM-Chips bezogen und streng getestet auf unvergleichliche Kompatibilität, Zuverlässigkeit und Leistung.

Produktbild Transcend TS256MSH64V4X (1 x 2GB, 2400 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMM)

Das Wichtigste auf einen Blick

Speicherkonfiguration

Arbeitsspeichertyp

Speichertaktfrequenz

RAM-Puffer

Technologien und Mechanismen im Arbeitsspeicher, welche die Stabilität und Zuverlässigkeit verbessern, indem sie elektrische Lasten reduzieren oder die Datenintegrität durch Fehlerkorrektur sicherstellen.

CAS-Latenzzeit

Die CAS-Latenzzeit ist die Verzögerungszeit, die zwischen dem Moment vergeht, in dem eine Speichersteuerung dem Speichermodul mitteilt, auf eine bestimmte Spalte in einer ausgewählten Zeile zuzugreifen, und dem Moment, in dem die Daten von dem angegebenen Array-Platz auf den Ausgangspins des Moduls verfügbar sind.

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