PHS-memory RAM passend für Netgear ReadyNAS RN 31844E
Netgear ReadyNAS RN 31844E, 2 x 4GBNur 2 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der RAM von PHS-memory ist speziell für den Netgear ReadyNAS RN 31844E konzipiert und bietet eine Speicherkapazität von 8 GB, aufgeteilt in zwei Module mit jeweils 4 GB. Dieser DDR3-RAM ist eine ideale Lösung zur Verbesserung der Systemleistung und zur Unterstützung anspruchsvoller Anwendungen. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz sorgt dieser Arbeitsspeicher für eine schnelle Datenverarbeitung und effiziente Leistung. Der unbuffered U-DIMM Formfaktor und die Betriebsspannung von 1,35 Volt machen diesen RAM zu einer zuverlässigen Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres ReadyNAS-Systems optimieren möchten. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und nahtlose Integration in bestehende Systeme.
- Speicherkapazität von 8 GB, aufgeteilt in 2 Module (2x4GB)
- DDR3-RAM mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz
- Unbuffered U-DIMM Formfaktor für verbesserte Leistung
- Betriebsspannung von 1,35 Volt für energieeffizienten Betrieb.
Passende Marke | Netgear |
Passendes Modell | Netgear ReadyNAS RN 31844E |
Speicherkonfiguration | 2 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22389651 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP157525 |
Release-Datum | 16.9.2022 |
Passende Marke | Netgear |
Passendes Modell | Netgear ReadyNAS RN 31844E |
Speicherkonfiguration | 2 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Anzahl Speichermodule (RAM) | 2 x |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 8 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | U-DIMM |
Anzahl Pins | 240 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.35 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |