PHS-memory 4GB RAM Speicher für Sony VAIO VGN-AW31M DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S
Sony VAIO VGN-AW31M, 1 x 4GBZwischen Do, 29.1. und Di, 3.2. geliefert
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Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Sony VAIO VGN-AW31M Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400S) sorgt dieser DDR2 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die 200-Pin-Konfiguration und die Betriebsspannung von 1,8 Volt gewährleisten eine einfache Integration in das bestehende System. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Sony VAIO Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben.
- 100% kompatibel mit Sony VAIO VGN-AW31M
- Erweiterung des Arbeitsspeichers auf 4GB für verbesserte Leistung
- Optimiert für Multitasking und anspruchsvolle Anwendungen
- Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.
RAM-Puffer | unbuffered |
Arbeitsspeichertyp | DDR2-RAM |
RAM für Modell | Sony VAIO VGN-AW31M |
Passende Marke | Sony |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Speichertaktfrequenz | 800 MHz |
Artikelnummer | 22395581 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP105250 |
Release-Datum | 19.4.2021 |
LED Farbe | ohne LED |
Passende Marke | Sony |
RAM für Modell | Sony VAIO VGN-AW31M |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR2-RAM |
Speichertaktfrequenz | 800 MHz |
Anzahl Speichermodule (RAM) | 1x |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 200x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.80 V |
Ursprungsland | Vereinigtes Königreich |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)
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