PHS-memory 4GB RAM Speicher für Samsung E Serie NP-E372 JT01 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-E372-JT01, 1 x 4GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung E Serie Modell NP-E372-JT01 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die 1.5 Volt Spannung sorgt für eine effiziente Energieversorgung, während die 204 Pins eine einfache Installation ermöglichen. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ideale Lösung für Nutzer, die die Leistung ihres Samsung Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine nahtlose Integration und verbesserte Systemstabilität.
- 100% kompatibel mit Samsung NP-E372-JT01
- Speichertaktfrequenz von 1066 MHz
- Energieeffizient mit 1.5 Volt Spannung
- Einfach zu installieren mit 204 Pins.
RAM-Puffer | unbuffered |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Passendes Modell | Samsung NP-E372-JT01 |
Passende Marke | Samsung |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Artikelnummer | 14322333 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP128747 |
Release-Datum | 15.11.2020 |
LED Farbe | ohne LED |
Passende Marke | Samsung |
Passendes Modell | Samsung NP-E372-JT01 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Anzahl Speichermodule (RAM) | 1 x |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR3L-1066 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.50 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |