PHS-memory 2GB RAM Speicher für Sony VAIO VGN-FZ21M DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Sony VAIO VGN-FZ21M, 1 x 2GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Sony VAIO VGN-FZ21M Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 667 MHz (PC2-5300S) ist dieser DDR2 SO-DIMM Arbeitsspeicher ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Sony VAIO VGN-FZ21M gewährleistet eine einfache Installation und eine optimale Funktionalität. Der RAM ist mit 200 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,8 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für Ihr Gerät macht. Diese Speichermodul ist eine ausgezeichnete Lösung für alle, die die Multitasking-Fähigkeiten ihres Laptops verbessern möchten.
- 100% kompatibel mit Sony VAIO VGN-FZ21M
- Energieeffiziente 1,8 Volt Spannung
- Optimale Leistung mit 667 MHz Taktfrequenz.
RAM-Puffer | unbuffered |
Arbeitsspeichertyp | DDR2-RAM |
RAM für Modell | Sony VAIO VGN-FZ21M |
Passende Marke | Sony |
Speicherkonfiguration | 1 x 2GB |
Speichertaktfrequenz | 667 MHz |
Artikelnummer | 22395803 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP104510 |
Release-Datum | 19.4.2021 |
LED Farbe | ohne LED |
Passende Marke | Sony |
RAM für Modell | Sony VAIO VGN-FZ21M |
Speicherkonfiguration | 1 x 2GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR2-RAM |
Speichertaktfrequenz | 667 MHz |
Anzahl Speichermodule (RAM) | 1x |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 2 GB |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 200x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.80 V |
Ursprungsland | Vereinigtes Königreich |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |