PHS-memory 2GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) DDR3 SO DIMM
Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011), 1 x 2GBNur 1 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und einer Spannung von 1,5 Volt gewährleistet dieser DDR3 SO-DIMM-RAM eine optimale Leistung für alltägliche Anwendungen und Multitasking. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell sorgt dafür, dass Nutzer eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb erwarten können. Der RAM ist ideal für Benutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für Büroanwendungen, Internetnutzung oder Multimedia-Anwendungen. Die Verwendung von LPDDR3-Chips sorgt zudem für eine verbesserte Energieeffizienz, was die Lebensdauer des Geräts verlängern kann. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Funktionalität ihres Packard Bell Notebooks erweitern möchten.
- 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011)
- Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung
- Energieeffiziente LPDDR3-Chips für längere Lebensdauer des Geräts
- Einfach zu installierender SO-DIMM Formfaktor.
Passende Marke | Packard Bell |
Passendes Modell | Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) |
Speicherkonfiguration | 1 x 2GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Artikelnummer | 14220839 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP143588 |
Release-Datum | 13.11.2020 |
Externe Links |
Passende Marke | Packard Bell |
Passendes Modell | Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) |
Speicherkonfiguration | 1 x 2GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Anzahl Speichermodule (RAM) | 1 x |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 2 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
Spannung | 1.50 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |