PHS-memory 2GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) DDR3 SO DIMM

Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011), 1 x 2GB
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Produktinformationen

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und einer Spannung von 1,5 Volt gewährleistet dieser DDR3 SO-DIMM-RAM eine optimale Leistung für alltägliche Anwendungen und Multitasking. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell sorgt dafür, dass Nutzer eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb erwarten können. Der RAM ist ideal für Benutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für Büroanwendungen, Internetnutzung oder Multimedia-Anwendungen. Die Verwendung von LPDDR3-Chips sorgt zudem für eine verbesserte Energieeffizienz, was die Lebensdauer des Geräts verlängern kann. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Funktionalität ihres Packard Bell Notebooks erweitern möchten.

  • 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011)
  • Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung
  • Energieeffiziente LPDDR3-Chips für längere Lebensdauer des Geräts
  • Einfach zu installierender SO-DIMM Formfaktor.

Das Wichtigste auf einen Blick

Passende Marke
Packard Bell
Passendes Modell
Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011)
Speicherkonfiguration
1 x 2GB
Arbeitsspeichertyp
DDR3-RAM
Speichertaktfrequenz
1066 MHz
Artikelnummer
14220839

Allgemeine Informationen

Hersteller
PHS-memory
Kategorie
RAM Modellspezifisch
Herstellernr.
SP143588
Release-Datum
13.11.2020
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Arbeitsspeicher

Passende Marke
Packard Bell
Passendes Modell
Packard Bell EasyNote TE69KB-29574G50Mnsk (NX.C2EEG.011)
Speicherkonfiguration
1 x 2GB
Hardware Anwendungsbereich
Notebook
Arbeitsspeichertyp
DDR3-RAM
Speichertaktfrequenz
1066 MHz
Anzahl Speichermodule (RAM)
1 x
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
2 GB
Arbeitsspeicher Chip
LPDDR3
Arbeitsspeicher Formfaktor
SO-DIMM
Anzahl Pins
204 x

Energieversorgung

Spannung
1.50 V

Herkunft

Ursprungsland
China

Freiwilliger Klimabeitrag

CO₂-Emission
Klimabeitrag

30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)

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