OWC 8.0GB (2x 4GB) PC3-12800 DDR3L 1600MHz SO-DIMM 204 Pin CL11 Memory Upg. Kit
2 x 4GB, 1600 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMMNur 1 Stück an Lager
Produktinformationen
Das 8.0GB (2x 4GB) PC3-12800 DDR3L 1600MHz SO-DIMM 204 Pin CL11 Memory Upgrade Kit von Other World Computing bietet eine leistungsstarke Lösung zur Erweiterung des Arbeitsspeichers für Notebooks. Mit einer Gesamtkapazität von 8 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 4 GB, ermöglicht dieses Kit eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Speichertaktfrequenz von 1600 MHz sorgt für eine effiziente Leistung, während die CAS-Latenz von 11 eine reaktionsschnelle Datenübertragung gewährleistet. Der SO-DIMM Formfaktor mit 204 Pins ist speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert und bietet eine einfache Installation. Mit einer Betriebsspannung von 1,35 V ist dieser RAM-Speicher energieeffizient und trägt zur Verlängerung der Akkulaufzeit bei. Das Kit ist RoHS-zertifiziert, was bedeutet, dass es umweltfreundlich ist und keine schädlichen Substanzen enthält.
- Speicherkapazität von 8 GB, aufgeteilt in zwei 4 GB Module
- Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung
- CAS-Latenz von 11 für schnelle Datenübertragung
- Energieeffiziente Betriebsspannung von 1,35 V
- RoHS-zertifiziert für umweltfreundliche Nutzung.
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speicherkonfiguration | 2 x 4GB |
RAM Zertifizierung | RoHS |
CAS-Latenzzeit | 11 |
Spannung | 1.35 V |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Artikelnummer | 15419381 |
Speicherkonfiguration | 2 x 4GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Übertragungsrate | 1333 MT/s |
Arbeitsspeicher Chip | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
CAS-Latenzzeit | 11 |
RAM Zertifizierung | RoHS |
Spannung | 1.35 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Höhe | 15 mm |
Länge | 18.20 cm |
Breite | 13 cm |
Höhe | 0.60 cm |
Gewicht | 34 g |
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