Goodram GR2666S464L19S/4G Speichermodul GB DDR4
1 x 4GB, 2666 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMMMehr als 10 Stück an Lager beim Drittanbieter
Produktinformationen
DDR4 SODIMM DRAM
DDR4 SODIMM-Module sind perfekt für mobile PCs, die ein kompaktes Format benötigen und eine kostengünstige, aber effektive Aufrüstung erfordern. Die DDR4-Generation ist die neueste der DDR-Familie und erfreut sich grosser Beliebtheit.
Bereit zum Spielen
GOODRAM DDR4-Speicher ist in 4 GB, 8 GB oder 16 GB in einem Modul erhältlich und nur in Einzelkanal-Konfigurationen verfügbar. Mit einer Taktfrequenz von 2666 MHz ist GOODRAM eine ausgezeichnete Wahl, egal welche Art von Aufgabe erledigt werden muss.
Lebenslange Garantie
Alle GOODRAM-Speichermodule werden in Polen mit sorgfältig ausgewählten Komponenten hergestellt und durchlaufen mehrstufige Qualitätstests, bevor sie in den Einzelhandel gelangen. Die Qualitätskontrollabteilung stellt sicher, dass jedes Modul perfekt auf viele Jahre Nutzung vorbereitet ist, weshalb wir unseren Nutzern eine lebenslange Garantie geben.
Zuverlässigkeit und Verarbeitungsqualität
Um die höchste Qualität der GOODRAM-Speichermodule zu gewährleisten, arbeiten wir ausschliesslich mit den besten Zulieferern von Komponenten zusammen und verwenden ausgewählte Speicherchips führender Hersteller. Wir setzen alles daran, dass jedes Speichermodul, das unsere Produktionslinie verlässt, den höchsten Qualitätsstandards entspricht. Mit diesem Ziel können wir alle GOODRAM-Speichermodule mit einer lebenslangen Garantie unterstützen.
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
CAS-Latenzzeit | 19 |
Spannung | 1.20 V |
Artikelnummer | 15685859 |
Hersteller | Goodram |
Kategorie | RAM |
Herstellernr. | GR2666S464L19S/4G |
Release-Datum | 16.4.2021 |
Farbe | Grün |
Genaue Farbbezeichnung | Grün |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4-2666 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 260 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
CAS-Latenzzeit | 19 |
Spannung | 1.20 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |