Name: Tunnel Field Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials
Brand: Éditions Universitaires Européennes
SKU: 51399165
Price: 38.9 CHF
Availability: InStock

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Éditions Universitaires Européennes

Der Tunnel-Feldeffekttransistor, der auf zweidimensionalen Materialien basiert, stellt einen bedeutenden Fortschritt in der Halbleitertechnologie dar. Diese innovative Technologie nutzt die einzigartigen Eigenschaften von Materialien wie Graphen und Übergangsmetall-Dichalkogeniden, die im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern Vorteile bieten. Insbesondere die Verwendung von 2-D-Materialien ermöglicht die Entwicklung von Transistoren, die für ultra-niedrigleistungsfähige digitale Anwendungen optimiert sind. Die vorliegende Arbeit präsentiert Ergebnisse von quantenmechanischen Simulationen, die die Leistung dieser neuartigen Transistoren untersuchen. Dabei wird der Einfluss der Geometrie des Transistors auf dessen Leistung analysiert, und es wird gezeigt, dass diese Geräte durch quantenmechanische Effekte dominiert werden. Ein weiterer Aspekt der Studie ist die Untersuchung der Auswirkungen von Rotationsfehlstellungen innerhalb der Schichten der Heterostruktur, die experimentell schwer zu vermeiden sind. Diese Erkenntnisse bieten wertvolle Einblicke in die zukünftige Entwicklung von leistungsfähigen und energieeffizienten Transistoren.

- Nutzung von zweidimensionalen Materialien für verbesserte Leistung
- Optimiert für ultra-niedrigleistungsfähige digitale Anwendungen
- Quantensimulationen zur Analyse der Transistorleistung
- Untersuchung der Geometrie und ihrer Auswirkungen auf die Effizienz.

Produktbild Tunnel Field Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials

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