Silicon Quantum Integrated Circuits

Le livre "Circuits intégrés quantiques en silicium" offre une analyse approfondie des effets quantiques qui prennent de plus en plus d'importance dans la microélectronique, notamment lorsque les tailles de structure diminuent à 100 nm dans la dimension latérale et 10 nm dans la dimension verticale. Il traite de concepts de dispositifs avancés qui exploitent ces effets pour développer des circuits intégrés avec des propriétés nouvelles ou améliorées. L'accent est mis sur les éléments quantiques à base de silicium pouvant fonctionner à température ambiante. Les auteurs discutent des principes physiques fondamentaux, des matériaux et des aspects technologiques, ainsi que du fonctionnement fondamental des dispositifs dans un contexte interdisciplinaire. Le rôle des éléments hétéostructurés en silicium-germanium (SiGe) dans la réalisation de l'électronique quantique à base de silicium est particulièrement souligné.