Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs

"Les Fondamentaux des MOSFET en semi-conducteurs III-V" offre une introduction complète aux principes de base et à l'état actuel de la recherche sur les transistors à effet de champ à métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) en semi-conducteurs III-V. Ces transistors sont considérés comme de potentiels successeurs du silicium dans les circuits numériques. Le livre aborde les propriétés spécifiques des semi-conducteurs III-V et les technologies qui les rendent attrayants pour la technologie MOSFET, y compris les hétérostructures à bande d'ingénierie et le contrôle à l'échelle nanométrique lors de la croissance épitaxiale. Un thème central est le défi de développer un diélectrique de grille de haute qualité et thermodynamiquement stable, qui passe les états de surface, similaire au SiO2 dans le silicium. L'ouvrage offre des aperçus détaillés sur la science des matériaux et le comportement électronique de divers diélectriques, ainsi que sur la physique des dispositifs fabriqués et les technologies de fabrication des MOSFET. Les avancées récentes et les défis liés à l'intégration de divers matériaux semi-conducteurs sur des plateformes en silicium sont également abordés.