Application of Pelletron Accelerator to Study Total Dose Radiation

Le livre spécialisé "Application of Pelletron Accelerator to Study Total Dose Radiation" offre une analyse complète des effets des radiations ionisantes sur les dispositifs à semi-conducteurs à oxyde métallique (MOS) et bipolaires. Il examine comment ces radiations entraînent une dégradation des propriétés électriques des appareils en générant des charges de surface et d'oxyde ainsi que des défauts ponctuels. Pour garantir la fonctionnalité de ces dispositifs dans des environnements riches en radiations, comme dans l'espace, il est essentiel de comprendre les différents effets de la radiation. Le livre documente des expériences où des MOSFET à déplétion de canal N et des transistors NPN en silicium ont été irradiés avec des ions lourds, et compare les résultats avec ceux obtenus par irradiation gamma. L'analyse détaillée des caractéristiques I-V des dispositifs est soutenue par l'utilisation de techniques de mesure modernes.