Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

Le livre "Modélisation analytique de l'effet de rupture dans les transistors à effet de champ en nanofeuille de graphène" offre une analyse approfondie des effets de la tension de rupture (BV) sur les structures en graphène basées sur des transistors. Il aborde des approches et des modèles analytiques qui se concentrent sur les propriétés des transistors à effet de champ en nanofeuille de graphène (GNRFETs). Les auteurs présentent des modèles semi-analytiques qui examinent divers aspects tels que le champ électrique latéral, la longueur de la région de saturation de la vitesse (LVSR) et le coefficient d'ionisation. En appliquant la loi de Gauss dans les régions de drain et de source, des équations pour le potentiel de surface et le champ électrique latéral sont dérivées. Ce travail offre des perspectives précieuses pour l'optimisation des dispositifs semi-conducteurs et des capteurs en analysant la BV dans différentes conditions. Les résultats montrent que la tension de fonctionnement des FETs peut être réduite jusqu'à 0,25 V pour éviter une rupture, et après optimisation, elle peut être augmentée jusqu'à 1,5 V.