Silicon Power DDR5 16Go 4800MHz SODIMM
1 x 16GB, 4800 MHz, RAM DDR5, SO-DIMM9 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
Le module de mémoire Silicon Power DDR5 16 Go 4800 MHz SO-DIMM est un module de haute performance spécialement conçu pour les ordinateurs portables. Avec une capacité de stockage de 16 Go et une fréquence d'horloge élevée de 4800 MHz, ce module offre des performances et une efficacité améliorées pour les applications exigeantes. Le type de RAM DDR5 permet des taux de transfert de données plus rapides et une meilleure efficacité énergétique par rapport aux générations précédentes. Le module est équipé d'un facteur de forme SO-DIMM à 262 broches et prend en charge l'ECC On-Die, ce qui augmente la sécurité des données. La latence CAS de 40 garantit des performances réactives, tandis que la tension de fonctionnement de 1,1 V optimise la consommation d'énergie. Ce module est idéal pour les utilisateurs qui ont besoin d'une extension de mémoire fiable et performante pour leurs ordinateurs portables.
- Capacité de 16 Go pour de meilleures capacités multitâches
- Haute fréquence de mémoire de 4800 MHz pour un traitement des données plus rapide
- ECC On-Die pour une sécurité des données accrue et une correction d'erreurs
- Faible tension de fonctionnement de 1,1 V pour une efficacité énergétique améliorée
- Compatible avec une variété d'ordinateurs portables grâce au facteur de forme SO-DIMM.
Type de mémoire vive | RAM DDR5 |
Configuration de la mémoire | 1 x 16GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 4800 MHz |
latence CAS | 40 |
Certification RAM | RoHS |
Tension électrique | 1.10 V |
Numéro d'article | 42891075 |
Fabricant | Silicon Power |
Catégorie | Mémoire vive |
Réf. du fabricant | SP016GBSVU480F02 |
Date de sortie | 10/2/2024 |
Configuration de la mémoire | 1 x 16GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR5 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 4800 MHz |
Puce mémoire vive | DDR5 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 262 x |
Mémoire tampon RAM | On-Die ECC |
latence CAS | 40 |
Certification RAM | RoHS |
Tension électrique | 1.10 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
Hauteur | 30 mm |