PHS-memory 8Go de mémoire RAM pour Netgear ReadyNAS 4312s DDR4 UDIMM ECC 2400MHz
Netgear ReadyNAS 4312s, 1 x 8GB7 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 8 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le Netgear ReadyNAS 4312s et offre une extension fiable et performante de la mémoire vive. Avec une fréquence de mémoire de 2400 MHz et la technologie DDR4, cette RAM garantit un taux de transfert de données élevé et une meilleure efficacité énergétique. Le facteur de forme U-DIMM non tamponné permet une installation facile et une compatibilité avec le ReadyNAS 4312s. Cette mémoire vive est idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système NAS, que ce soit pour la gestion des données, les solutions de sauvegarde ou les applications multimédias. La fonctionnalité ECC (Code de Correction d'Erreur) contribue à la stabilité et à la fiabilité du système en détectant et en corrigeant automatiquement les erreurs de mémoire. Avec une capacité de 8 Go, cette RAM est un excellent choix pour une variété d'applications nécessitant des performances solides.
- Compatible avec Netgear ReadyNAS 4312s
- Technologie DDR4 pour des performances améliorées
- Fonctionnalité ECC pour la correction des erreurs
- Installation facile grâce au facteur de forme U-DIMM.
Marque compatible | Netgear |
Modèle compatible | Netgear ReadyNAS 4312s |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2400 MHz |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Numéro d'article | 14239485 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP238569 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | Netgear |
Modèle compatible | Netgear ReadyNAS 4312s |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2400 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | DDR4 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 288 x |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Tension électrique | 1.20 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |