PHS-memory 8GB Mémoire RAM pour Toshiba Tecra Z40-B-11K DDR3 SO DIMM 1600MHz
Toshiba Tecra Z40-B-11K, 1 x 8GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 8 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Toshiba Tecra Z40-B-11K et offre une extension fiable et performante de la mémoire interne. Avec une capacité de 8 Go et une fréquence de mémoire de 1600 MHz, ce RAM DDR3 SO-DIMM permet une meilleure capacité multitâche et un traitement des données plus rapide. Le facteur de forme de 204 broches garantit que la mémoire s'intègre parfaitement dans le notebook. Ce RAM est idéal pour les utilisateurs souhaitant optimiser les performances de leur Toshiba Tecra Z40-B-11K, que ce soit pour des applications professionnelles, des projets créatifs ou des tâches quotidiennes. L'utilisation de puces LPDDR3 assure une gestion efficace de l'énergie, ce qui contribue à une durée de vie de la batterie plus longue pour le notebook. Ce RAM est une solution économique pour améliorer la performance globale du système et l'expérience utilisateur.
- 100 % compatible avec le Toshiba Tecra Z40-B-11K
- Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour un traitement rapide des données
- Facteur de forme SO-DIMM 204 broches pour une installation facile
- Faible consommation d'énergie grâce aux puces LPDDR3.
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Modèle compatible | Toshiba Tecra Z40-B-11K |
Marque compatible | Toshiba |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Numéro d'article | 14271365 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP169175 |
Date de sortie | 14/11/2020 |
Marque compatible | Toshiba |
Modèle compatible | Toshiba Tecra Z40-B-11K |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |